IPD60N10S412ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60N10S412ATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60N10S412ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Sans halogène Yes (per Infineon definition) —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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