IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R1K0PFD7SAUMA1 von Infineon und IPD60R600PFD7SAUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,45
Technology CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4.7 A —
Power Dissipation (PD) at TC 26 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1 Ω @ VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max gate-source) —
Gate Charge (QG) 6 nC @ VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 230 pF @ 400 V —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full enhancement) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Series CoolMOS PFD7 consumer / superjunction CoolMOS PFD7
Manufacturer — Infineon Technologies
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
Betriebstemperatur — -55°C to +150°C (Tj)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity — 2500

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern