IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R1K0PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon および IPD60R600PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ 生産中
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IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.45
Technology CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4.7 A —
Power Dissipation (PD) at TC 26 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1 Ω @ VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max gate-source) —
Gate Charge (QG) 6 nC @ VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 230 pF @ 400 V —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full enhancement) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Series CoolMOS PFD7 consumer / superjunction CoolMOS PFD7
Manufacturer — Infineon Technologies
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
動作温度 — -55°C to +150°C (Tj)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity — 2500

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