IPD60R360P7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R360P7ATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R360P7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD20) —
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Gehäuse — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
RoHS-Status — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern