IPD60R360P7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R360P7ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R360P7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD20) —
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Boîtier — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Statut RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis