IPD60R360P7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R360P7ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R360P7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD20) —
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Encapsulamento — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Status RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação