IPD65R380E6ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD65R380E6ATMA1 von Infineon und IPB014N06NATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD65R380E6ATMA1 IPB014N06NATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ E6 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern