IPD65R380E6ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon y IPB014N06NATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD65R380E6ATMA1 IPB014N06NATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ E6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

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