IPD65R380E6ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon e IPB014N06NATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD65R380E6ATMA1 IPB014N06NATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ E6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

Fichas técnicas e recursos

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