IPD65R380E6ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD65R380E6ATMA1 par Infineon et IPB014N06NATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD65R380E6ATMA1 IPB014N06NATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ E6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

Fiches techniques et ressources

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