IPD70N10S312ATMA2 vs BSC076N06NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD70N10S312ATMA2 von Infineon und BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD70N10S312ATMA2 BSC076N06NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,69 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.0 V to 3.5 V
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +150C
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 (unlimited floor life) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes —
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes (per Infineon product page)

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