IPD70N10S312ATMA2 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S312ATMA2 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ ActifInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70N10S312ATMA2 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,69 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.0 V to 3.5 V |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 (unlimited) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product page) |