IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD70R1K4P7SAUMA1 von Infineon und IPD80R1K4P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Aktiv
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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A 4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 3.5 V (typ)
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C -55C to +150C
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-2 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Technology Superjunction (CoolMOS P7) N-Channel Superjunction
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) Yes
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Verlustleistung (Ptot) — 32 W
REACH Status — Compliant
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Body Diode — Integrated, fast recovery

Datenblätter & Ressourcen

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