IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70R1K4P7SAUMA1 par Infineon et IPD80R1K4P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | 4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 3.5 V (typ) |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | Yes |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | 32 W |
| REACH Status | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |