IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD80R280P7ATMA1 von Infineon und IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD80R280P7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Verlustleistung (TC=25°C) — 227 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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