IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R280P7ATMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R280P7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 227 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Fiches techniques et ressources

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