IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R280P7ATMA1 por Infineon y IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R280P7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Disipación de potencia (TC=25°C) — 227 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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