IPD90N04S403ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90N04S403ATMA1 von Infineon und IPD78CN10NGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90N04S403ATMA1 IPD78CN10NGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
MSL-Level MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) Compliant
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS 2 Power-Transistor
Series — OptiMOS 2
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 78 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C — 31 W
Operating Junction Temperature Max — 175 C
Gehäuse / Bauform — PG-TO252-3 (DPAK)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC1 for target application

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