IPD90N04S403ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90N04S403ATMA1 por Infineon e IPD78CN10NGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90N04S403ATMA1 IPD78CN10NGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Nível MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) Compliant
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS 2 Power-Transistor
Series — OptiMOS 2
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 78 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C — 31 W
Operating Junction Temperature Max — 175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC1 for target application

Fichas técnicas e recursos

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