IPD90N04S403ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N04S403ATMA1 par Infineon et IPD78CN10NGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90N04S403ATMA1 IPD78CN10NGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Niveau MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) Compliant
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS 2 Power-Transistor
Series — OptiMOS 2
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 78 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C — 31 W
Operating Junction Temperature Max — 175 C
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC1 for target application

Fiches techniques et ressources

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