IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90N06S404ATMA2 von Infineon und IPD30N06S215ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Aktiv
Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90N06S404ATMA2 IPD30N06S215ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,72 $0,36
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W 136 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount —
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (Green Product) —
MSL-Level MSL1 MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS Power MOSFET
Transistortyp — N-Channel Enhancement Mode
Gehäuse / Bauform — PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab)
Betriebstemperatur — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free / RoHS — Green package (lead free), RoHS compliant
Gate Threshold Type — Logic-level compatible
Packing — Tape & Reel (T/R)

Datenblätter & Ressourcen

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