IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90N06S404ATMA2 por Infineon e IPD30N06S215ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Ativo
Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90N06S404ATMA2 IPD30N06S215ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,36
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W 136 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount —
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant (Green Product) —
Nível MSL MSL1 MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS Power MOSFET
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab)
Temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free / RoHS — Green package (lead free), RoHS compliant
Gate Threshold Type — Logic-level compatible
Packing — Tape & Reel (T/R)

Fichas técnicas e recursos

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