IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPD90N06S404ATMA2 メーカー: Infineon および IPD30N06S215ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ 生産中
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IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD90N06S404ATMA2 IPD30N06S215ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.72 $0.36
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W 136 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount —
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (Green Product) —
MSLレベル MSL1 MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS Power MOSFET
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode
パッケージ / ケース — PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab)
動作温度 — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free / RoHS — Green package (lead free), RoHS compliant
Gate Threshold Type — Logic-level compatible
Packing — Tape & Reel (T/R)

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