IPD90N06S404ATMA2 vs IPD30N06S215ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD90N06S404ATMA2 제조: Infineon 및 IPD30N06S215ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ 활성
Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD90N06S404ATMA2 IPD30N06S215ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $0.36
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W 136 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount —
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology OptiMOS —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (Green Product) —
MSL 레벨 MSL1 MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS Power MOSFET
트랜지스터 유형 — N-Channel Enhancement Mode
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab)
동작 온도 — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free / RoHS — Green package (lead free), RoHS compliant
Gate Threshold Type — Logic-level compatible
Packing — Tape & Reel (T/R)

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