IPG16N10S461AATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG16N10S461AATMA1 von Infineon und IAUCN10S7N021ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG16N10S461AATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

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