IPG16N10S461AATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPG16N10S461AATMA1 от Infineon и IAUCN10S7N021ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon
IPG16N10S461AATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPG16N10S461AATMA1 | IAUCN10S7N021ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,82 | $2,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Type | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 16 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | 61 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 29 W (T_C = 25°C) | — |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual, separate) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Count | 8 | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 175 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | — | 3.2 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | — | 105 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.98 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 32 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7.153 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 217 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |