IPG16N10S461AATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG16N10S461AATMA1 por Infineon y IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG16N10S461AATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

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