IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG16N10S461AATMA1 von Infineon und IPG20N04S4L11ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG16N10S461AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Gehäuse PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (260C peak reflow)
RoHS-Status Compliant Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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