IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG16N10S461AATMA1 por Infineon y IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG16N10S461AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (260C peak reflow)
Estado RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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