IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG16N10S461AATMA1 por Infineon e IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG16N10S461AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Encapsulamento PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (260C peak reflow)
Status RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação