IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG16N10S461AATMA1 par Infineon et IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG16N10S461AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (260C peak reflow)
Statut RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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