IPG20N04S4L07ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG20N04S4L07ATMA1 von Infineon und BSC014N04LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG20N04S4L07ATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 OptiMOS 5
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (unlimited)
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
RoHS-Status — Compliant

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