IPG20N04S4L07ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N04S4L07ATMA1 por Infineon e BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N04S4L07ATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 OptiMOS 5
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (unlimited)
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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