IPG20N04S4L07ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L07ATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S4L07ATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ T2 OptiMOS 5
FET Type 2x N-Channel (Dual, Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 7.2 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) Max 65 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (4.5V VGS fully enhanced) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (unlimited)
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free terminations —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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