IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG20N04S4L08ATMA1 von Infineon und IPG20N04S4L11ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
Betriebstemperatur -55°C to +175°C —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (260C peak reflow)
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Gehäuse — PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS-Status — Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 trench

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