IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N04S4L08ATMA1 por Infineon e IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
Temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (260C peak reflow)
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Encapsulamento — PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Status RoHS — Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 trench

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação