IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L08ATMA1 par Infineon et IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
Température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (260C peak reflow)
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Boîtier — PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Statut RoHS — Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 trench

Fiches techniques et ressources

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