IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R085P7AUMA1 von Infineon und IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R085P7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $5,19
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A 50 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Gehäuse PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Verlustleistung (TC=25°C) — 227 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL-Level — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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