IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R085P7AUMA1 por Infineon e IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R085P7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $5,19
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A 50 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Temperatura de junção de operação -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Encapsulamento PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Dissipação de potência (TC=25°C) — 227 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Nível MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Fichas técnicas e recursos

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