IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R085P7AUMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R085P7AUMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $5,19 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 39 A | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 85 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 154 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -40 °C to +150 °C | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ESD Robustness (HBM) | >2 kV (all pins) | — |
| Technology | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Boîtier | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Polarity | N-channel | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 227 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |