IPL60R085P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R085P7AUMA1 von Infineon und IPL60R105P7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R085P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $0,82
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Gehäuse PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Halogenfrei — Yes
Lead-Free — Yes

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