IPL60R085P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R085P7AUMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R085P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $0,82
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Boîtier PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sans halogène — Yes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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