IPL60R085P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R085P7AUMA1 por Infineon e IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R085P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $0,82
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Temperatura de junção de operação -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Encapsulamento PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Livre de halogênio — Yes
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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