IPN70R360P7SATMA1 vs IPN70R600P7SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN70R360P7SATMA1 von Infineon und IPN70R600P7SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN70R360P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,49
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V 700 V
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET
Channel Type N-Channel —
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (junction) -55°C to +150°C (Tj)
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 8.5 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 600 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 6.9 W
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Pin Configuration — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain
RoHS Compliance — Compliant
MSL-Level — Level 1 (per JEDEC J-STD-020)
Family Position — 700V CoolMOS P7, 600mΩ class

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