IPN70R360P7SATMA1 vs IPN70R600P7SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN70R360P7SATMA1 por Infineon e IPN70R600P7SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN70R360P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,49
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V 700 V
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET
Channel Type N-Channel —
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (junction) -55°C to +150°C (Tj)
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 8.5 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 600 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 6.9 W
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Pin Configuration — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain
RoHS Compliance — Compliant
Nível MSL — Level 1 (per JEDEC J-STD-020)
Family Position — 700V CoolMOS P7, 600mΩ class

Fichas técnicas e recursos

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