IPN70R360P7SATMA1 vs IPN70R600P7SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN70R360P7SATMA1 par Infineon et IPN70R600P7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN70R360P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,49
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V 700 V
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET
Channel Type N-Channel —
Boîtier PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (junction) -55°C to +150°C (Tj)
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 8.5 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 600 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 6.9 W
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Pin Configuration — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain
RoHS Compliance — Compliant
Niveau MSL — Level 1 (per JEDEC J-STD-020)
Family Position — 700V CoolMOS P7, 600mΩ class

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