IPN95R3K7P7ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN95R3K7P7ATMA1 von Infineon und BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN95R3K7P7ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,44 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) N-Channel Trench MOSFET
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes (per Infineon product page)

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