IPN95R3K7P7ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPN95R3K7P7ATMA1 제조: Infineon 및 BSC076N06NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPN95R3K7P7ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.44 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) N-Channel Trench MOSFET
패키지 PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 접합 온도 -55 C to +150 C —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
할로겐 프리 — Yes (per Infineon product page)

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