IPN95R3K7P7ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon e BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN95R3K7P7ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) N-Channel Trench MOSFET
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
Livre de halogênio — Yes (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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