IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP075N15N3GXKSA1 von Infineon und IPP037N08N3GXKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP075N15N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Gehäuse PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TO220-3 (Through Hole)
Montageart Through Hole Through Hole
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.75 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 6 V, 10 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 214 W
Pin-Anzahl — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
RoHS-Status — Compliant

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